Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRA84DP-T1-GE3
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira84dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIRA84DP-T1-GE3 за ціною від 13.17 грн до 59.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira84dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.80 грн
10+38.29 грн
100+21.97 грн
500+16.84 грн
1000+15.23 грн
3000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira84dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+35.56 грн
100+23.00 грн
500+16.51 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 SIRA84DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira84dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA84DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira84dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 57.8A; Idm: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57.8A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.