Продукція > VISHAY > SIRA88DP-T1-GE3
SIRA88DP-T1-GE3

SIRA88DP-T1-GE3 Vishay

sira88dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 45.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA88DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIRA88DP-T1-GE3 за ціною від 10.23 грн до 36.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRA88DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003320281-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.01 грн
500+12.95 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0003320281-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA88DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.60 грн
44+18.98 грн
100+16.01 грн
500+12.95 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira88dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.46 грн
18+19.37 грн
100+14.20 грн
500+12.36 грн
1000+11.84 грн
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira88dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
13+24.60 грн
100+17.96 грн
500+14.50 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA88DP-T1-GE3 SIRA88DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira88dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 45.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira88dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira88dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira88dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.