Продукція > VISHAY SILICONIX > SiRA96DP-T1-GE3
SiRA96DP-T1-GE3

SiRA96DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira96dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiRA96DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiRA96DP-T1-GE3 за ціною від 9.93 грн до 41.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiRA96DP-T1-GE3 SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira96dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.91 грн
11+33.25 грн
100+20.16 грн
500+15.74 грн
1000+12.80 грн
3000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3 SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira96dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.38 грн
10+33.80 грн
100+25.24 грн
500+18.61 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA96DP-T1-GE3 SIRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira96dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.