SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 87.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA99DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIRA99DP-T1-GE3 за ціною від 84.20 грн до 263.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -156A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -20...16V On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.9A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.35W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10955 pF @ 15 V |
на замовлення 6387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -156A; Idm: -400A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -156A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -20...16V On-state resistance: 2.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIRA99DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |