SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.95 грн |
| 6000+ | 35.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIRB40DP-T1-GE3 за ціною від 35.79 грн до 121.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 8697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRB40DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 36250 шт: термін постачання 638-647 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 29.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 93nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIRB40DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 29.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 93nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A |
товару немає в наявності |