SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sirb40dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+39.34 грн
6000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 46.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIRB40DP-T1-GE3 за ціною від 38.77 грн до 114.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirb40dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.63 грн
10+79.72 грн
100+58.99 грн
500+43.91 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sirb40dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 25968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.30 грн
10+85.11 грн
100+56.10 грн
500+44.54 грн
1000+39.75 грн
3000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.63 грн
10+79.72 грн
100+58.99 грн
500+43.91 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 25968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.30 грн
10+85.11 грн
100+56.10 грн
500+44.54 грн
1000+39.75 грн
3000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.