SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.03 грн |
| 10+ | 64.64 грн |
| 100+ | 43.82 грн |
| 500+ | 36.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 32W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20/±-16V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SIRC06DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|
| SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||
| SIRC06DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |