Продукція > VISHAY SILICONIX > SiRC16DP-T1-GE3
SiRC16DP-T1-GE3

SiRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sirc16dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.60 грн
6000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SiRC16DP-T1-GE3 за ціною від 36.19 грн до 156.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiRC16DP-T1-GE3 SiRC16DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sirc16dp.pdf MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.92 грн
10+74.09 грн
100+50.20 грн
500+42.53 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 SiRC16DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.88 грн
10+96.53 грн
100+65.73 грн
500+49.32 грн
1000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-GE3
Код товару: 181487
Додати до обраних Обраний товар
sirc16dp.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.