SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sirc16dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc), FET Feature: Schottky Diode (Body), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V.

Інші пропозиції SIRC16DP-T1-RE3 за ціною від 37.23 грн до 93.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIRC16DP-T1-RE3 SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.48 грн
10+73.91 грн
100+57.46 грн
500+45.71 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC16DP-T1-RE3 sirc16dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.48 грн
10+73.91 грн
100+57.46 грн
500+45.71 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.