Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

sirc18dp.pdf
Код товару: 165751
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIRC18DP-T1-GE3 за ціною від 33.72 грн до 112.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirc18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirc18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirc18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.16 грн
10+91.18 грн
100+71.07 грн
500+55.09 грн
1000+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sirc18dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 42992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.52 грн
10+78.91 грн
100+48.71 грн
500+38.58 грн
1000+35.73 грн
3000+34.07 грн
9000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirc18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirc18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirc18dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRC18DP-T1-GE3 SIRC18DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirc18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.