на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRC18DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRC18DP-T1-GE3 за ціною від 35.27 грн до 120.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 46785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIRC18DP-T1-GE3 Код товару: 165751
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIRC18DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |