SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 114.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 227A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SiRS4301DP-T1-GE3 за ціною від 105.37 грн до 383.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 227A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SiRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V |
на замовлення 7377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4301DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 227 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 227A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 227A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIRS4301DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 227A T/R |
товару немає в наявності |