SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 105.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiRS4401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SiRS4401DP-T1-GE3 за ціною від 116.35 грн до 349.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SiRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V |
на замовлення 5672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SiRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.8A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 588 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21850 pF @ 20 V |
на замовлення 7885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 198 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SiRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SIRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 198A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIRS4401DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 198A T/R |
товару немає в наявності |