SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 128.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 334A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SIRS4600DP-T1-RE3 за ціною від 116.54 грн до 344.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS4600DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 334A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRS4600DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 334A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7655 pF @ 30 V |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRS4600DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS4600DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 334 A, 910 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 334A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIRS4600DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.2 m @ 10V 1.03 m @ 7.5V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIRS4600DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.2 mohm a. 10V 1.03 mohm a. 7.5V |
товару немає в наявності |