Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRS5100DP-T1-GE3
SIRS5100DP-T1-GE3

SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sirs5100dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.10 грн
10+180.88 грн
100+127.71 грн
500+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIRS5100DP-T1-GE3 за ціною від 102.20 грн до 297.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sirs5100dp.pdf MOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.27 грн
10+192.97 грн
100+118.77 грн
500+108.41 грн
3000+102.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs5100dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 225A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirs5100dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.