 
SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
 Виробник: Vishay Siliconix
                                                Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 117.89 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V. 
Інші пропозиції SIRS5100DP-T1-GE3 за ціною від 103.10 грн до 340.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |  MOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V | на замовлення 1265 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V | на замовлення 4142 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 100V 225A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R | товару немає в наявності |