SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.47 грн |
| 10+ | 181.75 грн |
| 100+ | 128.32 грн |
| 500+ | 109.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRS5100DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 2500 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SIRS5100DP-T1-GE3 за ціною від 102.69 грн до 352.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS5100DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 2500 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIRS5100DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc) Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc) |
товару немає в наявності |