Продукція > VISHAY SILICONIX > SIRS5100DP-T1-GE3
SIRS5100DP-T1-GE3

SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sirs5100dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRS5100DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc), Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc).

Інші пропозиції SIRS5100DP-T1-GE3 за ціною від 105.24 грн до 327.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sirs5100dp.pdf MOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.21 грн
10+214.89 грн
25+175.83 грн
100+150.81 грн
250+142.72 грн
500+133.89 грн
1000+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirs5100dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 225A (Tc)
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 240W (Tc)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.87 грн
10+207.60 грн
100+146.58 грн
500+113.10 грн
1000+105.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRS5100DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs5100dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 225A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.