SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.82 грн |
| 6000+ | 14.69 грн |
| 9000+ | 14.38 грн |
| 15000+ | 13.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIS110DN-T1-GE3 за ціною від 18.21 грн до 88.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIS110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
на замовлення 19507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 91665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|