Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS112LDN-T1-GE3
SIS112LDN-T1-GE3

SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis112ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.66 грн
6000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIS112LDN-T1-GE3 за ціною від 18.93 грн до 49.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis112ldn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
10+41.00 грн
100+28.37 грн
500+22.25 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis112ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis112ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis112ldn.pdf Vishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.