SIS126DN-T1-GE3

SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis126dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS126DN-T1-GE3 за ціною від 26.42 грн до 97.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis126dn.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis126dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.20 грн
10+57.66 грн
100+43.77 грн
500+33.38 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.21 грн
14+63.04 грн
100+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis126dn.pdf MOSFETs POWER P AKNC HAN80V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+64.27 грн
100+42.45 грн
500+35.20 грн
1000+29.32 грн
3000+26.87 грн
6000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis126dn.pdf SIS126DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.