SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Технічний опис SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS126DN-T1-GE3 за ціною від 27.86 грн до 84.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SIS126DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIS126DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWER P AKNC HAN80V |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SIS126DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SIS126DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS126DN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.46 грн |
| 10+ | 54.60 грн |
| 100+ | 41.45 грн |
| 500+ | 31.61 грн |
| 1000+ | 27.86 грн |
| SIS126DN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs POWER P AKNC HAN80V
MOSFETs POWER P AKNC HAN80V
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термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIS126DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS126DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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