Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis176ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.77 грн
6000+ 22.72 грн
9000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V.

Інші пропозиції SIS176LDN-T1-GE3 за ціною від 21.91 грн до 65.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis176ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
10+ 47.24 грн
100+ 36.7 грн
500+ 29.19 грн
1000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis176ldn.pdf MOSFET N-CHANNEL 70-V (D-S)
на замовлення 42745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.03 грн
10+ 52.38 грн
100+ 35.49 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 24.51 грн
3000+ 23.04 грн
6000+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS176LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis176ldn.pdf SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній