SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.01 грн |
| 500+ | 32.57 грн |
| 1000+ | 25.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS178LDN-T1-GE3 за ціною від 21.70 грн до 83.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS178LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V |
на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS178LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS178LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 70V |
на замовлення 40311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIS178LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIS178LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V |
товару немає в наявності |