SIS178LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.89 грн |
| 10+ | 61.30 грн |
| 100+ | 40.63 грн |
| 500+ | 29.82 грн |
| 1000+ | 27.14 грн |
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Технічний опис SIS178LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 70V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Інші пропозиції SIS178LDN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIS178LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A |
на замовлення 37514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SIS178LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 70V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS178LDN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS178LDN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A
на замовлення 37514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIS178LDN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)