Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis184dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.98 грн
6000+44.00 грн
9000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS184DN-T1-GE3 за ціною від 41.83 грн до 132.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+91.40 грн
100+71.08 грн
500+56.54 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis184dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 28437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.37 грн
10+95.69 грн
100+62.56 грн
500+49.70 грн
1000+43.95 грн
3000+42.21 грн
9000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis184dn.pdf SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.