Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis184dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+46.06 грн
6000+42.24 грн
9000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS184DN-T1-GE3 за ціною від 40.57 грн до 170.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0004023723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.70 грн
500+49.93 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+87.75 грн
100+68.24 грн
500+54.28 грн
1000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0004023723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.23 грн
10+100.20 грн
100+67.70 грн
500+49.93 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis184dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.26 грн
10+106.80 грн
100+64.24 грн
500+51.04 грн
1000+46.92 грн
3000+41.62 грн
6000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 VISH-S-A0004023723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.70 грн
500+49.93 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.55 грн
10+87.75 грн
100+68.24 грн
500+54.28 грн
1000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 VISH-S-A0004023723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.23 грн
10+100.20 грн
100+67.70 грн
500+49.93 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+170.26 грн
10+106.80 грн
100+64.24 грн
500+51.04 грн
1000+46.92 грн
3000+41.62 грн
6000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.