Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis184dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.24 грн
6000+ 38.74 грн
9000+ 36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS184DN-T1-GE3 за ціною від 36.83 грн до 102.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.29 грн
10+ 80.47 грн
100+ 62.58 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 40.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis184dn.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 29811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.55 грн
10+ 82.71 грн
100+ 55.94 грн
500+ 47.35 грн
1000+ 38.56 грн
3000+ 36.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIS184DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis184dn.pdf SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній