Продукція > VISHAY > SIS402DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3 Vishay

sis402dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS402DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS402DN-T1-GE3 за ціною від 56.90 грн до 204.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis402dn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 11131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.07 грн
10+124.09 грн
100+83.76 грн
500+66.86 грн
1000+61.65 грн
3000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.89 грн
10+127.34 грн
100+87.30 грн
500+65.87 грн
1000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis402dn.pdf SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.