Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS402DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis402dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS402DN-T1-GE3 за ціною від 53.18 грн до 197.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis402dn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.86 грн
10+122.96 грн
100+72.68 грн
500+59.96 грн
1000+56.12 грн
3000+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.33 грн
10+122.64 грн
100+84.08 грн
500+63.44 грн
1000+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.