SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.63 грн |
| 6000+ | 17.9 грн |
| 9000+ | 16.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SiS406DN-T1-GE3 за ціною від 17.67 грн до 56.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS406DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS406DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiS406DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 15971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SiS406DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 113571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS406DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.2A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.2A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SiS406DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 71200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIS406DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |