Продукція > VISHAY SILICONIX > SiS406DN-T1-GE3
SiS406DN-T1-GE3

SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis406dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.96 грн
6000+19.56 грн
9000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiS406DN-T1-GE3 за ціною від 18.00 грн до 90.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiS406DN-T1-GE3 SiS406DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis406dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.03 грн
10+52.42 грн
100+34.50 грн
500+25.14 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 SiS406DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis406dn.pdf MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 105338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.25 грн
10+55.64 грн
100+31.86 грн
500+24.75 грн
1000+22.43 грн
3000+19.48 грн
6000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
на замовлення 71200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.