SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.33 грн |
| 6000+ | 21.70 грн |
| 9000+ | 20.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIS407ADN-T1-GE3 за ціною від 21.35 грн до 95.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS407ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 3776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS407ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|