Продукція > VISHAY > SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3 Vishay

Name: SIS413DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 445178-7
Price: 47610.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIS413DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS413DN-T1-GE3 за ціною від 12.35 грн до 67.53 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.37 грн
6000+	14.51 грн
9000+	13.76 грн
15000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.11 грн
6000+	17.29 грн
9000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	27.97 грн
250+	25.10 грн
500+	20.10 грн
1000+	15.42 грн
5000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	56.27 грн
11+	38.95 грн
50+	18.84 грн
136+	17.81 грн
1000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	59.00 грн
50+	41.52 грн
100+	28.39 грн
500+	21.93 грн
1500+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 37782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	62.48 грн
10+	40.38 грн
100+	26.26 грн
500+	18.96 грн
1000+	17.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 41247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	64.82 грн
10+	44.31 грн
100+	25.16 грн
500+	19.38 грн
1000+	17.48 грн
3000+	15.20 грн
6000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	67.53 грн
10+	48.54 грн
50+	22.61 грн
136+	21.38 грн
1000+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3
Код товару: 151913

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.