на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS413DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS413DN-T1-GE3 за ціною від 12.27 грн до 57.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V |
на замовлення 53653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 53070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SIS413DN-T1-GE3 Код товару: 151913
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SIS413DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |