Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Name: SIS413DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142142-3
Price: 65220.00 UAH
Availability: InStock

Код товару: 151913

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції SIS413DN-T1-GE3 за ціною від 14.84 грн до 104.20 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.74 грн
6000+	19.36 грн
9000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001113287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.20 грн
250+	22.29 грн
500+	19.34 грн
1000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	48.47 грн
360+	39.25 грн
500+	34.25 грн
1000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 292 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

6+	76.58 грн
10+	48.76 грн
50+	32.00 грн
100+	26.83 грн
250+	21.67 грн
500+	18.96 грн
1000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 14345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.45 грн
10+	51.96 грн
100+	34.19 грн
500+	24.90 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 10183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.61 грн
10+	55.16 грн
100+	31.58 грн
500+	24.47 грн
1000+	22.22 грн
3000+	19.27 грн
6000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.20 грн
50+	66.05 грн
100+	43.40 грн
500+	31.31 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	21.74 грн
6000+	19.36 грн
9000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	37.20 грн
250+	22.29 грн
500+	19.34 грн
1000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
292+	48.47 грн
360+	39.25 грн
500+	34.25 грн
1000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 292 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	76.58 грн
10+	48.76 грн
50+	32.00 грн
100+	26.83 грн
250+	21.67 грн
500+	18.96 грн
1000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

на замовлення 14345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.45 грн
10+	51.96 грн
100+	34.19 грн
500+	24.90 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 10183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	88.61 грн
10+	55.16 грн
100+	31.58 грн
500+	24.47 грн
1000+	22.22 грн
3000+	19.27 грн
6000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS413DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 9400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	104.20 грн
50+	66.05 грн
100+	43.40 грн
500+	31.31 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.