SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.48 грн |
| 500+ | 28.23 грн |
| 1000+ | 23.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIS415DNT-T1-GE3 за ціною від 18.14 грн до 76.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 22397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIS415DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |