SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis427edn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.51 грн
6000+17.34 грн
9000+16.61 грн
15000+14.81 грн
21000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS427EDN-T1-GE3 за ціною від 20.32 грн до 78.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 28596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.51 грн
10+47.22 грн
100+30.92 грн
500+22.44 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis427edn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 28596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.51 грн
10+47.22 грн
100+30.92 грн
500+22.44 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.