Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS427EDN-T1-GE3
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis427edn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.42 грн
6000+19.04 грн
9000+18.23 грн
15000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS427EDN-T1-GE3 за ціною від 18.52 грн до 86.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis427edn.pdf MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 299-308 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.43 грн
10+48.41 грн
100+29.08 грн
500+24.34 грн
1000+21.20 грн
3000+19.36 грн
6000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 19532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.10 грн
10+51.82 грн
100+33.95 грн
500+24.64 грн
1000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis427edn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis427edn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis427edn.pdf SIS427EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.