SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix


sis429dnt.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.75 грн
13+27.68 грн
100+17.96 грн
500+14.19 грн
1000+10.94 грн
3000+9.96 грн
9000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS429DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS429DNT-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS429DNT-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis429dnt.pdf P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis429dnt.pdf SIS429DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS429DNT-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis429dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.