SIS429DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.76 грн |
| 13+ | 27.69 грн |
| 100+ | 17.97 грн |
| 500+ | 14.19 грн |
| 1000+ | 10.95 грн |
| 3000+ | 9.96 грн |
| 9000+ | 8.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS429DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIS429DNT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS429DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
SIS429DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |