Продукція > VISHAY > SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3 Vishay

sis435dnt.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+34.90 грн
351+34.55 грн
426+28.47 грн
430+27.18 грн
500+22.51 грн
1000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS435DNT-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIS435DNT-T1-GE3 за ціною від 19.02 грн до 54.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+40.63 грн
19+37.39 грн
25+37.02 грн
100+29.42 грн
250+26.97 грн
500+23.15 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.72 грн
10+35.21 грн
100+31.48 грн
500+23.78 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis435dnt.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.16 грн
10+46.35 грн
100+29.34 грн
500+25.10 грн
1000+21.47 грн
3000+20.57 грн
6000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis435dnt.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis435dnt.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.