Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis435dnt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.81 грн
6000+22.14 грн
9000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIS435DNT-T1-GE3 за ціною від 17.99 грн до 96.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+37.19 грн
351+36.82 грн
426+30.34 грн
430+28.97 грн
500+23.98 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+43.29 грн
19+39.84 грн
25+39.45 грн
100+31.35 грн
250+28.74 грн
500+24.67 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis435dnt.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.95 грн
10+42.74 грн
100+27.05 грн
500+23.15 грн
1000+19.80 грн
3000+18.96 грн
6000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.48 грн
10+58.31 грн
100+38.57 грн
500+28.24 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis435dnt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.