на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 33.72 грн |
| 351+ | 33.38 грн |
| 426+ | 27.51 грн |
| 430+ | 26.26 грн |
| 500+ | 21.74 грн |
| 1000+ | 17.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS435DNT-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SIS435DNT-T1-GE3 за ціною від 15.93 грн до 50.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T |
на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V |
на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -30A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIS435DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -30A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 180nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |