Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142143-3
Price: 134820.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	44.94 грн
6000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 43.30 грн до 160.32 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIS443DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.81 грн
25+	53.95 грн
100+	51.19 грн
250+	46.64 грн
500+	44.04 грн
1000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

258+	54.81 грн
262+	53.95 грн
266+	53.09 грн
271+	50.37 грн
500+	45.87 грн
1000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 258 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

172+	82.34 грн
180+	78.66 грн
250+	75.50 грн
500+	70.18 грн
1000+	62.86 грн
2500+	58.56 грн
5000+	56.99 грн
10000+	55.59 грн

Мінімальне замовлення: 172 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.32 грн
10+	98.58 грн
100+	66.79 грн
500+	49.92 грн
1000+	45.82 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0000786461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 16950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 13 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	64.86 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	54.81 грн
25+	53.95 грн
100+	51.19 грн
250+	46.64 грн
500+	44.04 грн
1000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
258+	54.81 грн
262+	53.95 грн
266+	53.09 грн
271+	50.37 грн
500+	45.87 грн
1000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 258 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
172+	82.34 грн
180+	78.66 грн
250+	75.50 грн
500+	70.18 грн
1000+	62.86 грн
2500+	58.56 грн
5000+	56.99 грн
10000+	55.59 грн

Мінімальне замовлення: 172 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	160.32 грн
10+	98.58 грн
100+	66.79 грн
500+	49.92 грн
1000+	45.82 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 16950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 13 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	64.86 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.