Продукція > VISHAY > SIS443DN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3 Vishay

sis443dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 38.15 грн до 170.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.70 грн
6000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+48.30 грн
262+47.55 грн
266+46.78 грн
271+44.39 грн
500+40.43 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.75 грн
25+50.94 грн
100+48.34 грн
250+44.03 грн
500+41.58 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 19951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+72.56 грн
180+69.32 грн
250+66.53 грн
500+61.85 грн
1000+55.39 грн
2500+51.61 грн
5000+50.22 грн
10000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000786461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 16184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.63 грн
10+107.59 грн
25+97.27 грн
50+82.33 грн
100+68.02 грн
250+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.15 грн
10+104.62 грн
100+70.88 грн
500+52.98 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.67 грн
18+63.30 грн
50+60.43 грн
1000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis443dn.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.