Продукція > VISHAY > SIS443DN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3 Vishay

sis443dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 40.71 грн до 176.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.11 грн
6000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.87 грн
6000+44.48 грн
9000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.84 грн
6000+45.40 грн
9000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.35 грн
150+81.53 грн
151+81.09 грн
250+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis443dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+112.65 грн
10+76.47 грн
25+75.71 грн
100+72.61 грн
250+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis443dn.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 44707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.22 грн
10+95.97 грн
100+65.89 грн
500+55.80 грн
1000+45.50 грн
3000+42.81 грн
6000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.92 грн
10+98.95 грн
100+67.03 грн
500+50.11 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000786461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 20113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.69 грн
10+113.97 грн
25+103.38 грн
50+86.17 грн
100+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.81 грн
18+59.87 грн
49+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.