Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS443DN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis443dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.96 грн
6000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 45.84 грн до 160.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.38 грн
10+98.61 грн
100+66.81 грн
500+49.94 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4370, Qg, нКл = 135, Rds = 11,7 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK® 1212-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis443dn.pdf MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis443dn.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.