на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 43.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 39.33 грн до 183.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 44707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 43214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 19951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V |
на замовлення 27135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIS443DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2913 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|