Продукція > VISHAY > SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Name: SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 919162-7
Price: 129150.0 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIS443DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIS443DN-T1-GE3 за ціною від 37.52 грн до 167.34 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	46.91 грн
6000+	43.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
258+	47.50 грн
262+	46.76 грн
266+	46.01 грн
271+	43.65 грн
500+	39.76 грн
1000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 258

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	50.90 грн
25+	50.10 грн
100+	47.54 грн
250+	43.31 грн
500+	40.89 грн
1000+	40.20 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	67.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
172+	71.36 грн
180+	68.17 грн
250+	65.43 грн
500+	60.82 грн
1000+	54.48 грн
2500+	50.75 грн
5000+	49.39 грн
10000+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 172

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0000786461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0117 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 42973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	132.90 грн
10+	101.58 грн
100+	74.75 грн
500+	52.51 грн
1000+	44.26 грн
5000+	39.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	134.60 грн
10+	86.47 грн
18+	51.88 грн
50+	48.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 17333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.62 грн
10+	98.06 грн
100+	62.93 грн
500+	50.11 грн
1000+	46.94 грн
3000+	40.75 грн
6000+	40.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 19951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	147.29 грн
10+	104.97 грн
25+	99.04 грн
50+	84.11 грн
100+	69.73 грн
250+	62.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2524 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	161.51 грн
10+	107.75 грн
18+	62.25 грн
50+	58.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

на замовлення 27135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	167.34 грн
10+	102.89 грн
100+	69.71 грн
500+	52.11 грн
1000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIS443DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.