
SIS444DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.37 грн |
10+ | 45.48 грн |
100+ | 31.35 грн |
500+ | 28.45 грн |
1000+ | 25.11 грн |
3000+ | 22.35 грн |
6000+ | 21.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS444DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIS444DN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIS444DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SIS444DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SIS444DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |