SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


sis444dn.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.37 грн
10+45.48 грн
100+31.35 грн
500+28.45 грн
1000+25.11 грн
3000+22.35 грн
6000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS444DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIS444DN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis444dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis444dn.pdf SIS444DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS444DN-T1-GE3 SIS444DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis444dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.