Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIS447DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 7566719-3
Price: 73590.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIS447DN-T1-GE3 за ціною від 24.89 грн до 64.13 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIS447DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.74 грн
25+	50.24 грн
50+	45.33 грн
100+	34.69 грн
250+	33.06 грн
500+	30.01 грн
1000+	27.51 грн
3000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	50.74 грн
281+	50.24 грн
301+	47.01 грн
364+	37.47 грн
366+	34.44 грн
500+	30.01 грн
1000+	27.51 грн
3000+	25.62 грн
6000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 279 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.13 грн
10+	53.92 грн
100+	37.29 грн
500+	29.25 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	50.74 грн
25+	50.24 грн
50+	45.33 грн
100+	34.69 грн
250+	33.06 грн
500+	30.01 грн
1000+	27.51 грн
3000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

на замовлення 11274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
279+	50.74 грн
281+	50.24 грн
301+	47.01 грн
364+	37.47 грн
366+	34.44 грн
500+	30.01 грн
1000+	27.51 грн
3000+	25.62 грн
6000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 279 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

на замовлення 3830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	64.13 грн
10+	53.92 грн
100+	37.29 грн
500+	29.25 грн
1000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 13736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS447DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.