SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS447DN-T1-GE3 за ціною від 18.56 грн до 65.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 15743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| SIS447DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS447DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |