SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIS447DN-T1-GE3 за ціною від 20.26 грн до 63.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 11274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIS447DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 13736 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIS447DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 9733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
SIS447DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 9733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.19 грн |
| 25+ | 50.69 грн |
| 50+ | 45.74 грн |
| 100+ | 35.00 грн |
| 250+ | 33.36 грн |
| 500+ | 30.27 грн |
| 1000+ | 27.76 грн |
| 3000+ | 25.85 грн |
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 11274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 279+ | 51.19 грн |
| 281+ | 50.69 грн |
| 301+ | 47.43 грн |
| 364+ | 37.80 грн |
| 366+ | 34.75 грн |
| 500+ | 30.27 грн |
| 1000+ | 27.76 грн |
| 3000+ | 25.85 грн |
| 6000+ | 25.77 грн |
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 13736 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.93 грн |
| 10+ | 45.50 грн |
| 100+ | 31.96 грн |
| 500+ | 26.91 грн |
| 1000+ | 24.43 грн |
| 3000+ | 21.35 грн |
| 6000+ | 20.26 грн |
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.25 грн |
| 10+ | 53.18 грн |
| 100+ | 36.78 грн |
| 500+ | 28.84 грн |
| 1000+ | 24.55 грн |
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS447DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 7100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 9733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)