SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.98 грн |
| 6000+ | 23.83 грн |
| 9000+ | 22.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції SIS4604LDN-T1-GE3 за ціною від 24.94 грн до 62.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V |
на замовлення 14527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A |
на замовлення 5491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIS4604LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIS4604LDN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIS4604LDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.23 грн |
| 18+ | 42.91 грн |
| 25+ | 42.48 грн |
| 50+ | 28.63 грн |
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.57 грн |
| 10+ | 49.48 грн |
| 100+ | 38.50 грн |
| 500+ | 30.62 грн |
| 1000+ | 24.94 грн |
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A
на замовлення 5491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS4604LDN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)