SIS4608DN-T1-GE3

SIS4608DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis4608dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS4608DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS4608DN-T1-GE3 за ціною від 14.72 грн до 64.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis4608dn.pdf Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.94 грн
500+20.86 грн
1000+16.40 грн
5000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis4608dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+27.50 грн
23+26.54 грн
25+26.27 грн
50+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis4608dn.pdf Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.61 грн
21+38.83 грн
100+26.94 грн
500+20.86 грн
1000+16.40 грн
5000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis4608dn.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.44 грн
10+50.57 грн
100+34.98 грн
500+27.43 грн
1000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis4608dn.pdf MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.60 грн
10+56.25 грн
100+33.38 грн
500+28.88 грн
3000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS4608DN-T1-GE3 SIS4608DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis4608dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.