SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS4608LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS4608LDN-T1-GE3 за ціною від 21.81 грн до 93.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 28.9A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 17.4W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |