на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 14.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS472BDN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm.
Інші пропозиції SIS472BDN-T1-GE3 за ціною від 10.46 грн до 44.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 11300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 11300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.6A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 12.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIS472BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.6A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 12.7W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |