SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis476dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.23 грн
6000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS476DN-T1-GE3 за ціною від 30.79 грн до 109.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis476dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis476dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis476dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.14 грн
10+65.32 грн
100+50.42 грн
500+37.33 грн
1000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001785332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.51 грн
12+74.92 грн
100+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis476dn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 64492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.17 грн
10+74.63 грн
100+49.58 грн
500+39.09 грн
1000+35.69 грн
3000+31.47 грн
6000+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis476dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis476dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis476dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis476dn.pdf SIS476DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.