SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 566-575 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.47 грн |
| 10+ | 59.17 грн |
| 100+ | 39.98 грн |
| 500+ | 33.96 грн |
| 1000+ | 27.65 грн |
| 3000+ | 27.58 грн |
| 9000+ | 27.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS488DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIS488DN-T1-GE3 за ціною від 23.37 грн до 79.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIS488DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |