Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS5712DN-T1-GE3
SIS5712DN-T1-GE3

SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

doc?62070 Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.11 грн
10+85.08 грн
100+56.61 грн
500+41.92 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIS5712DN-T1-GE3 за ціною від 38.58 грн до 153.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix doc?62070 MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 12198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.61 грн
10+95.95 грн
100+55.65 грн
500+45.62 грн
1000+45.47 грн
3000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS5712DN-T1-GE3 SIS5712DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix doc?62070 Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.