SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.58 грн |
| 10+ | 79.25 грн |
| 100+ | 52.73 грн |
| 500+ | 39.05 грн |
| 1000+ | 38.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS5712DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SIS5712DN-T1-GE3 за ціною від 35.10 грн до 147.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS5712DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 3272 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SIS5712DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.61 грн |
| 10+ | 69.64 грн |
| 100+ | 54.12 грн |
| 500+ | 42.93 грн |
| 1000+ | 41.76 грн |
| 3000+ | 35.10 грн |