Продукція > VISHAY > SIS590DN-T1-GE3
SIS590DN-T1-GE3

SIS590DN-T1-GE3 VISHAY

3213185.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.89 грн
500+35.64 грн
1000+29.88 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS590DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS590DN-T1-GE3 за ціною від 25.61 грн до 113.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis590dn.pdf Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.58 грн
10+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis590dn.pdf MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.32 грн
10+63.81 грн
100+46.38 грн
500+36.35 грн
1000+33.14 грн
3000+28.24 грн
6000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3213185.pdf Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.33 грн
11+79.50 грн
100+52.89 грн
500+35.64 грн
1000+29.88 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis590dn.pdf Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.