Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS606BDN-T1-GE3
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis606bdn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.37 грн
6000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS606BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIS606BDN-T1-GE3 за ціною від 38.26 грн до 114.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS606BDN-T1-GE3 SIS606BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis606bdn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.86 грн
10+80.77 грн
100+62.78 грн
500+49.94 грн
1000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS606BDN-T1-GE3 SIS606BDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis606bdn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 117418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.15 грн
10+87.14 грн
100+53.48 грн
500+43.48 грн
1000+40.24 грн
3000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS606BDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis606bdn.pdf SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.