SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix


sis822dnt.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.35 грн
14+26.35 грн
100+15.35 грн
500+11.27 грн
1000+8.92 грн
3000+8.09 грн
6000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 30A, Drain current: 12A, Drain-source voltage: 30V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 12nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 10W, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIS822DNT-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay sis822dnt.pdf N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis822dnt.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 SIS822DNT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis822dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis822dnt.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.