SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.28 грн |
| 14+ | 26.29 грн |
| 100+ | 15.32 грн |
| 500+ | 11.24 грн |
| 1000+ | 8.90 грн |
| 3000+ | 8.07 грн |
| 6000+ | 7.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 12A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIS822DNT-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 |
товару немає в наявності |
|
| SIS822DNT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
товару немає в наявності |