SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.80 грн |
| 10+ | 63.49 грн |
| 100+ | 42.20 грн |
| 500+ | 31.01 грн |
| 1000+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS862ADN-T1-GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0532, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 39W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SIS862ADN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS862ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS862ADN-T1-GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0532 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.8A |
на замовлення 74881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIS862ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862ADN-T1-GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0532
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SIS862ADN-T1-GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 42AJ0532
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS862ADN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.8A
MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.8A
на замовлення 74881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)