Продукція > VISHAY > SIS862ADN-T1-GE3
SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3 Vishay

sis862adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS862ADN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS862ADN-T1-GE3 за ціною від 22.68 грн до 94.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.98 грн
10+41.05 грн
100+31.72 грн
500+27.56 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis862adn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 83502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.18 грн
10+60.77 грн
100+36.62 грн
500+29.43 грн
1000+26.93 грн
3000+23.41 грн
6000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis862adn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis862adn.pdf SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.