Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIS862DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4327729-3
Price: 98250.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	32.75 грн
6000+	29.38 грн
9000+	28.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції SIS862DN-T1-GE3 за ціною від 31.41 грн до 149.80 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIS862DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

на замовлення 8063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.55 грн
500+	48.01 грн
1000+	40.59 грн
5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 21296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.39 грн
10+	74.39 грн
100+	43.08 грн
500+	34.03 грн
1000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 9374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.93 грн
10+	74.26 грн
100+	49.73 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

на замовлення 8063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.80 грн
10+	94.23 грн
100+	63.55 грн
500+	48.01 грн
1000+	40.59 грн
5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

на замовлення 8063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	63.55 грн
500+	48.01 грн
1000+	40.59 грн
5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 21296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	118.39 грн
10+	74.39 грн
100+	43.08 грн
500+	34.03 грн
1000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

на замовлення 9374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	121.93 грн
10+	74.26 грн
100+	49.73 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIS862DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm

на замовлення 8063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	149.80 грн
10+	94.23 грн
100+	63.55 грн
500+	48.01 грн
1000+	40.59 грн
5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.