Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS862DN-T1-GE3
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis862dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.74 грн
6000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції SIS862DN-T1-GE3 за ціною від 34.65 грн до 125.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay sis862dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay sis862dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay sis862dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.15 грн
254+55.58 грн
295+47.95 грн
298+45.78 грн
500+39.97 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay sis862dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.91 грн
14+56.15 грн
25+55.58 грн
100+46.24 грн
250+42.39 грн
500+38.37 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
10+76.52 грн
100+51.23 грн
500+37.92 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis862dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
252+56.15 грн
254+55.58 грн
295+47.95 грн
298+45.78 грн
500+39.97 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.91 грн
14+56.15 грн
25+55.58 грн
100+46.24 грн
250+42.39 грн
500+38.37 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.13 грн
10+76.52 грн
100+51.23 грн
500+37.92 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 VISH-S-A0000784840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.