Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS862DN-T1-GE3
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis862dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.73 грн
6000+29.36 грн
9000+28.26 грн
15000+25.36 грн
21000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIS862DN-T1-GE3 за ціною від 31.64 грн до 122.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis862dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
10+74.93 грн
100+43.39 грн
500+34.28 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 21740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.04 грн
10+74.21 грн
100+49.70 грн
500+36.78 грн
1000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis862dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.