Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis888dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.27 грн
10+ 81.71 грн
100+ 63.54 грн
500+ 50.54 грн
1000+ 41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIS888DN-T1-GE3 за ціною від 38.59 грн до 113.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis888dn.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.72 грн
10+ 92.13 грн
100+ 62.69 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 42.99 грн
2500+ 41.26 грн
6000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIS888DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis888dn.pdf SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis888dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
товар відсутній