Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS890ADN-T1-GE3
SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis890adn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.12 грн
6000+24.24 грн
9000+23.29 грн
15000+20.85 грн
21000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm.

Інші пропозиції SIS890ADN-T1-GE3 за ціною від 23.05 грн до 119.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis890adn.pdf MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET
на замовлення 63821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.05 грн
10+54.31 грн
100+32.99 грн
500+26.50 грн
1000+24.25 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 62280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+62.99 грн
100+41.86 грн
500+30.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018225215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.23 грн
11+75.57 грн
100+50.24 грн
500+36.42 грн
1000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
SIS890ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET
на замовлення 63821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.05 грн
10+54.31 грн
100+32.99 грн
500+26.50 грн
1000+24.25 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
SIS890ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 62280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.87 грн
10+62.99 грн
100+41.86 грн
500+30.75 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 VISH-S-A0018225215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS890ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.23 грн
11+75.57 грн
100+50.24 грн
500+36.42 грн
1000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.