Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS890DN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis890dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.79 грн
6000+34.88 грн
9000+33.62 грн
15000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIS890DN-T1-GE3 за ціною від 36.65 грн до 173.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 VISHAY sis890dn.pdf Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.70 грн
500+48.41 грн
1500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.35 грн
10+86.28 грн
100+58.15 грн
500+43.29 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis890dn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 34242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.19 грн
10+92.40 грн
100+54.34 грн
500+43.06 грн
1000+39.54 грн
3000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.50 грн
50+111.83 грн
100+74.42 грн
500+55.21 грн
1500+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.70 грн
500+48.41 грн
1500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.35 грн
10+86.28 грн
100+58.15 грн
500+43.29 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 34242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.19 грн
10+92.40 грн
100+54.34 грн
500+43.06 грн
1000+39.54 грн
3000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 VISH-S-A0000785398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.50 грн
50+111.83 грн
100+74.42 грн
500+55.21 грн
1500+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.