SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis890dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 16100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.55 грн
6000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIS890DN-T1-GE3 за ціною від 39.33 грн до 122.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis890dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis890dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 17773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.37 грн
10+68.79 грн
100+55.04 грн
500+43.02 грн
1000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis890dn.pdf Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 26700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.10 грн
50+77.47 грн
100+60.67 грн
500+50.74 грн
1500+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis890dn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 50926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.67 грн
10+91.34 грн
100+57.64 грн
500+45.99 грн
1000+41.07 грн
3000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis890dn.pdf Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 52W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis890dn.pdf SIS890DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.