SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.41 грн |
| 6000+ | 28.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS892ADN-T1-GE3 за ціною від 27.31 грн до 99.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 30700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
на замовлення 6889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 30671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 51044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |