SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis892adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.29 грн
6000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIS892ADN-T1-GE3 за ціною від 27.20 грн до 102.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892adn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000785228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 30671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.22 грн
500+36.88 грн
1000+30.55 грн
5000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.01 грн
10+56.18 грн
25+37.90 грн
68+35.85 грн
500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.46 грн
10+62.56 грн
100+48.70 грн
500+36.40 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000785228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 30671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.58 грн
13+68.31 грн
100+54.22 грн
500+36.88 грн
1000+30.55 грн
5000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.81 грн
10+70.01 грн
25+45.48 грн
68+43.02 грн
500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis892adn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 51044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.37 грн
10+68.02 грн
100+41.68 грн
500+36.16 грн
1000+32.22 грн
3000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis892adn-1145261.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.