SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.8 грн |
| 10+ | 60.81 грн |
| 100+ | 45.66 грн |
| 500+ | 38.59 грн |
| 1000+ | 32.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 28, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 52, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1.5, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIS892ADN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 52 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|
| SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
| SIS892ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |