Продукція > VISHAY > SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 VISHAY

2050277.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS892DN-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIS892DN-T1-GE3 за ціною від 40.99 грн до 135.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+71.54 грн
175+70.83 грн
203+60.83 грн
250+58.32 грн
500+46.24 грн
1000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.68 грн
10+76.65 грн
25+75.89 грн
100+62.85 грн
250+57.86 грн
500+47.56 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.03 грн
10+79.84 грн
100+59.72 грн
500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis892dn.pdf MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.99 грн
10+101.63 грн
100+63.54 грн
500+51.04 грн
1000+46.78 грн
3000+41.75 грн
6000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.