Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis892dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.91 грн
6000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIS892DN-T1-GE3 за ціною від 40.60 грн до 167.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050277.pdf Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.86 грн
175+70.15 грн
203+60.26 грн
250+57.77 грн
500+45.80 грн
1000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+85.86 грн
10+75.92 грн
25+75.16 грн
100+62.25 грн
250+57.31 грн
500+47.11 грн
1000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis892dn.pdf MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.70 грн
10+100.66 грн
100+62.93 грн
500+50.56 грн
1000+46.33 грн
3000+41.35 грн
6000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.34 грн
10+102.89 грн
100+69.71 грн
500+52.11 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis892dn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis892dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27A; Idm: 50A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis892dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27A; Idm: 50A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.