Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis892dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.11 грн
6000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIS892DN-T1-GE3 за ціною від 41.29 грн до 171.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050277.pdf Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.92 грн
10+98.95 грн
100+67.03 грн
500+50.11 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis892dn.pdf MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.86 грн
10+108.49 грн
100+63.93 грн
500+49.27 грн
1000+44.70 грн
3000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis892dn.pdf SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.