Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis903dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.86 грн
6000+27.68 грн
9000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SIS903DN-T1-GE3 за ціною від 24.12 грн до 114.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+57.05 грн
229+56.48 грн
297+43.56 грн
299+41.64 грн
500+33.57 грн
1000+28.01 грн
3000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis903dn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.09 грн
10+56.77 грн
100+38.49 грн
500+33.05 грн
1000+26.98 грн
3000+25.31 грн
6000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.47 грн
13+61.12 грн
25+60.51 грн
100+45.01 грн
250+41.31 грн
500+34.53 грн
1000+30.01 грн
3000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.52 грн
10+70.02 грн
100+46.88 грн
500+34.69 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732
Додати до обраних Обраний товар
sis903dn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.