SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.74 грн |
| 6000+ | 24.82 грн |
| 9000+ | 23.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.
Інші пропозиції SIS903DN-T1-GE3 за ціною від 23.53 грн до 105.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 25880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 13258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIS903DN-T1-GE3 Код товару: 182732
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SIS903DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |