Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis903dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.16 грн
6000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SIS903DN-T1-GE3 за ціною від 26.50 грн до 110.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+56.40 грн
229+55.84 грн
297+43.07 грн
299+41.17 грн
500+33.19 грн
1000+27.69 грн
3000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.56 грн
13+60.43 грн
25+59.82 грн
100+44.50 грн
250+40.84 грн
500+34.14 грн
1000+29.67 грн
3000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis903dn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.27 грн
10+64.10 грн
100+43.46 грн
500+37.32 грн
1000+30.47 грн
3000+28.58 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 8322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+67.33 грн
100+44.82 грн
500+32.99 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732
Додати до обраних Обраний товар

sis903dn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.