Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

sis903dn.pdf
Код товару: 182732
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIS903DN-T1-GE3 за ціною від 27.14 грн до 114.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.77 грн
6000+27.60 грн
9000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.38 грн
229+61.75 грн
297+47.63 грн
299+45.53 грн
500+36.71 грн
1000+30.63 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay sis903dn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.10 грн
13+62.38 грн
25+61.75 грн
100+45.93 грн
250+42.16 грн
500+35.24 грн
1000+30.63 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis903dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+69.81 грн
100+46.75 грн
500+34.58 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis903dn.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.77 грн
6000+27.60 грн
9000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.38 грн
229+61.75 грн
297+47.63 грн
299+45.53 грн
500+36.71 грн
1000+30.63 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.10 грн
13+62.38 грн
25+61.75 грн
100+45.93 грн
250+42.16 грн
500+35.24 грн
1000+30.63 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.18 грн
10+69.81 грн
100+46.75 грн
500+34.58 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
SIS903DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.