Технічний опис SIS9122DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.7A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, On-state resistance: 167mΩ, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 11.4W, Gate charge: 6nC, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції SIS9122DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS9122DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS9122DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 167mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 11.4W Gate charge: 6nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS9122DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIS9122DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 167mΩ
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 11.4W
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 167mΩ
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 11.4W
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.