Інші пропозиції SIS932EDN-T1-GE3 мосфет за ціною від 16.05 грн до 66.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 6534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIS932EDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIS932EDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIS932EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.05 грн |
| SIS932EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.46 грн |
| 10+ | 39.77 грн |
| 50+ | 29.26 грн |
| 100+ | 24.26 грн |
| 500+ | 18.63 грн |
| SIS932EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIS932EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIS932EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Кнопка тактова SMD 4,5x4,5, H3,8mm, KFC-045A-3.8 Код товару: 209765
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Daier
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 4,5x4,5 мм
Висота кнопки, мм: 3,8 мм
Опис: Кнопка тактова SMD. Максимальна напруга/струм: 12VDC/50mA. повна висота всієї кнопки: 3,8 mm. Сила натискання: 0,98N.
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 4,5x4,5 мм
Висота кнопки, мм: 3,8 мм
Опис: Кнопка тактова SMD. Максимальна напруга/струм: 12VDC/50mA. повна висота всієї кнопки: 3,8 mm. Сила натискання: 0,98N.
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
у наявності: 1307 шт
- 1035 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 59 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 93 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 12+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.05 грн |
| USB4125-GF-A-0190 Код товару: 195400
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
очікується: 25 шт
- 25 шт - очікується 14.09.2026
| Гвинт із сферичною головкою M2x22 (нержавіюча сталь 304, PH, DIN 7985) Код товару: 194092
Додати до обраних
Обраний товар
|
Кріплення та металеві вироби > Гвинти
Опис: Гвинт із хрестовим шліцем "Phillips", сферична головка, без покриття. Матеріал: нержавіюча сталь 304.
Довжина, мм: 22
Різьба: M2
Матеріал: Нержавіюча сталь
Вид головки: Сферична
Тип, шліц: Хрестоподібний
Опис: Гвинт із хрестовим шліцем "Phillips", сферична головка, без покриття. Матеріал: нержавіюча сталь 304.
Довжина, мм: 22
Різьба: M2
Матеріал: Нержавіюча сталь
Вид головки: Сферична
Тип, шліц: Хрестоподібний
у наявності: 180 шт
- 180 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 0.62 грн |
| 100+ | 0.51 грн |
| 1000+ | 0.46 грн |
| 4,7uF 10V X7R 10% 0805 2k/reel (C0805B475K100N2-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 164998
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1525 шт
- 1525 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.20 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
| PLS2-40R (KLS1-207B-1-40-R2) Код товару: 151422
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: штирі однорядні на плату кутові, 40 контактів 1х40, крок 2,0 мм, 1А
Штирі або гнізда: штирі (вилки)
Крок: 2,00 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: штирі однорядні на плату кутові, 40 контактів 1х40, крок 2,0 мм, 1А
Штирі або гнізда: штирі (вилки)
Крок: 2,00 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується
на замовлення: 87 шт
- 87 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.00 грн |
| 100+ | 6.30 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |










